三菱電機は国内有数の総合電機メーカーです。半導体から大型システムまで様々な製品・サービスを、家庭、オフィス、工場や社会インフラ、そして宇宙にいたるまで広範囲な領域で提供し、「活力とゆとりのある社会の実現」に向けた取り組みを進めています。
菱洋エレクトロは設立当初より三菱電機の特約店として活動しています。半導体、電子デバイス、映像機器、セキュリティ製品など幅広いラインアップを取り揃え、お客様のニーズに合わせベストソリューションを提供いたします。
地球環境に配慮しながら、より豊かで快適な社会を実現していくために、様々な取り組みが行われています。太陽光や風力などのクリーンエネルギーによる発電、スマートグリッドによる効率的な電力供給、さらに低炭素&低燃費なハイブリッド自動車や電気自動車、徹底的に省エネを追及したエコ家電の普及…。
まさに今が地球環境におけるイノベーションの時といえるでしょう。
そのイノベーションを可能にするひとつの回答、それがパワーモジュールです。
三菱電機は、革新的なパワーモジュールで低炭素社会と豊かな生活の両立に貢献していきます。
エアコン / 太陽光発電 / 充電インフラ / 車載充電器などの電源システム
エアコン / 太陽光発電 / 充電インフラ / 車載充電器などの電源システム
産業 / 鉄道 / 家電
エアコン / 洗濯機 / 冷蔵庫 / 食洗機 / 換気扇などのファン / ポンプ駆動
エアコン / 洗濯機 / 冷蔵庫 / ACサーボ / 汎用インバータ / 小容量モータコントロール
汎用インバータ / ACサーボ / CVCF / 太陽光発電 / 風力発電 / エレベータ / UPS
汎用インバータ / ACサーボ / CVCF / 太陽光発電 / 風力発電 / CT / MRI / 誘導加熱応用機器
インバータ装置 / コンバータ装置 / DCチョッパ装置
バッテリーフォークリフト / UPS
インバータ製品 / 直流モータ電源 / バッテリー用直流電源 / 制御盤用の直流電源 / 一般直流電源
エアコン / 汎用インバーター
※1 JFET（Junction Field Effect Transistor）領域の不純物濃度を高濃度化し、デバイスを高密度化する技術
※2 三菱電機製の1200V-IGBTモジュールとの比較
電源システムの低消費電力・高信頼性に貢献します。
※1 三菱電機製のパワー半導体モジュールDIPPFC™に搭載されたSiダイオードと比較
鉄道車両、産業機器、ビル設備、再生可能エネルギー、家電・・・
これらパワーエレクトロニクス機器の省エネ化のキーデバイスとしてパワーデバイスが欠かせません。
そこで注目されているのが、新材料のSiC（Silicon Carbide）です。
SiCは材料の特性により電力損失を飛躍的に低減させ、パワーエレクトロニクス機器の大幅な省エネ化が可能です。
三菱電機は、1990年代初めにSiCの要素技術開発をスタートし、SiC搭載品の実用化で省エネ効果をすでに実証しています。
革新的なSiCパワーモジュールで、低炭素社会の実現と豊かな生活の両立に貢献してまいります。
SOPIPM™は、基板実装が容易な表面実装パッケージを採用したIPM（インテリジェントパワーモジュール）であり、エアコンなどのファンモーターといった小容量モーター駆動用途に最適です。
DIPIPM™は、主に家電など小容量のインバーター機器向けに開発されたトランスファーモールド外形のインテリジェントパワーモジュール（IPM）です。
インバーター駆動に必要なパワー素子だけでなく、駆動用ICとして高耐圧IC（HVIC）を搭載することで、フォトカプラなしでマイコンと直接接続可能としています。
さらに、P側駆動電源生成用のブートストラップDiも内蔵し、単電源駆動が可能です。
Ver.4 シリーズ以降、高熱伝導絶縁シート構造を採用することで外形サイズを削減しつつ放熱性を大幅に改善しており、最新世代のパワー素子の採用と併せて、搭載製品の効率およびシステムコスト改善に貢献しています。
IPM（Intelligent Power Module）は、IGBTチップの性能をより引き出すため専用の駆動回路を搭載し、自己保護（短絡、制御電源電圧低下、過熱）機能などを専用IC化した高機能モジュールです。
IGBTチップの進化にあわせ、IPMも各種シリーズの展開をすすめています。
主力製品の“L1シリーズ”、“V1シリーズ”や“S1シリーズ”に加え、更に低電力損失化、高機能化、小型化を図った“G1シリーズ”を新たにラインアップしました。
あらゆる産業機器のインバータ化に必須なデバイスであるIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールは、1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきました。
またチップ構造を平面プレーナ構造からトレンチゲート構造へ進め、CSTBT™（キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT）により、産業機器の低損失化や小型化に対応してきました。
第5世代IGBTから従来外形のスタンダード（std）タイプに、薄型外形のNXタイプを追加し、インバーター，三相コンバーターとブレーキの各回路を1パッケージに内蔵した製品をラインアップしています。
また、Sシリーズ（第6世代IGBT）を、より低電力損失で小型化したT/T1シリーズ（第7世代IGBT）を新たにラインアップしました。
高耐圧・大電流を必要とする鉄道車両や大型産業機械などのパワーエレクトロニクス機器向けシステムの高効率化・小型軽量化、駆動回路の小型化などの市場要求に応えるため、HVIGBTモジュールをラインアップしています。
主力製品であるHシリーズ/Rシリーズに加え７世代チップを搭載したXシリーズを新たにラインアップしています。Xシリーズは、従来製品と互換パッケージのスタンダード（std）タイプと、並列接続が容易となる新パッケージのLV100/HV100タイプをラインアップし、さまざまな容量のパワーエレクトロニクス機器に対応します。
高速スイッチングと電圧駆動及び低損失が要求されるパワーデバイスにおいて、MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）は、低電流、低耐圧の領域にて実績があります。サブミクロン技術によるトレンチゲート構造を用いることで、プレーナ型に比べて格段に低オン抵抗（ドレイン・ソース間でドレイン電流が流れる領域での抵抗値）化をすすめました。
商用周波数の整流する一般整流用ダイオードモジュール、インバーター回路の還流（フリーホイール）ダイオード用やサージ電圧吸収回路（スナバ）用の高速スイッチング用の高周波ダイオードモジュール。インバーターの主要スイッチング・デバイスが、バイポーラ・トランジスタからIGBTなどの高速MOSゲート素子へと移行していることに加え、ラジオ・ノイズ規制などの観点から、逆回復特性（リカバリ）だけでなく、ソフト・リカバリ特性が主流となっています。
DIPPFC™は、インバータ機器の電源高調波抑制、力率改善（PFC）用の昇圧チョッパ回路、及び駆動ICをトランスファーモールドパッケージに搭載したIPMです。ワイドバンドギャップ半導体素子の搭載などにより高キャリア周波数駆動でも低損失動作が可能。また、インバーター用途向け三菱電機製超小型DIPIPMと同等パッケージの採用により、DIPIPM™との組み合わせでコンパクトなインバーターシステムを構成可能です。
＞詳細は三菱電機ウェブサイト（半導体・デバイスページ）をご覧ください。
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