イノサイエンステクノロジー / GaN製品

HOME
製品案内
イノサイエンステクノロジー
イノサイエンステクノロジー / GaN製品

中国発のGaN on Siデバイスメーカー。
低耐圧（40V-200V）と高耐圧（650V）のeMode（Normally-Off）GaNパワートランジスタを開発・製造しています。

2015年12月に設立された世界最大規模のGaN on Si垂直統合型製造会社(IDM)です。1000名以上の従業員で構成され、世界中から経験豊富なGaN技術者が集合しています。

最新の８インチGaN製造装置と研究開発・品質試験・デバイス解析の最新装置を保有し、2019年6月から珠海工場量産（650V品）を開始しました。2021年中に新設の蘇州工場でも量産開始を予定しています。

概要

IMEC(Interuniversity Microelectronics Centre)のGaN技術を基礎にして、価格優位性からシリコン基板を選択。さらなる価格優位性を得るために、８インチのウェハーサイズを開発初期から選択しました。また、独自バッファ層によりGaNエピ層への熱応力を大幅に緩和、最新のMOCVD装置と高度な管理技術により、高いGaNエピ成長の均一性を確保しています。CMOS配線技術によるフィールドプレートの高精度化により電界強度を低減し、GaNの課題である動的Rdsonの1.1倍以下を達成して高い信頼性を実現しています。