菱洋エレクトロ株式会社

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半導体

「生産中止」「最低発注数(MOQ)」「納期」等にお困りではありませんか?Rochester社は「製造中止品」に加え「現行品(成熟品)」も在庫しています。 正規のルート・適正な価格でお悩みを解決します。

菱洋エレクトロは、半導体 / デバイスの販売、それらに関わる技術サポートに加え、お客様のご要望に合わせた製造・開発を含むトータルソリューションを提供しています。

 

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三菱電機 パワーモジュール

三菱電機トップページ三菱電機は国内有数の総合電機メーカーです。半導体から大型システムまで様々な製品・サービスを、家庭、オフィス、工場や社会インフラ、そして宇宙にいたるまで広範囲な領域で提供し、「活力とゆとりのある社会の実現」に向けた取り組みを進めています。

菱洋エレクトロは設立当初より三菱電機の特約店として活動しています。半導体、電子デバイス、映像機器、セキュリティ製品など幅広いラインアップを取り揃え、お客様のニーズに合わせベストソリューションを提供いたします。

 

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概要

'80年代初頭に始まるパワーモジュールは、産業機器を中心に家電製品のモータ制御を担ってきました。’80年代後半のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールや制御回路を搭載するIPM(Intelligent Power Module)により、応用製品の小型・軽量化、高効率化、高周波化、大容量化などの進化にお応えしてきました。

三菱パワーデバイスは、発電・送変電の電力基幹系から、電気を使う需要家まで、スマートグリットによる豊かな電化社会、低炭素社会に貢献していきます。

パワーデバイス
ターゲット市場
  • DIPIPM
    エアコン / 洗濯機 / 冷蔵庫 / ACサーボ / 汎用インバータ / 小容量モータコントロール
  • IPM
    汎用インバータ / ACサーボ / CVCF / 太陽光発電 / 風力発電 / エレベータ / UPS
  • IGBTモジュール
    汎用インバータ / ACサーボ / CVCF / 太陽光発電 / 風力発電 / CT / MRI / 誘導加熱応用機器
  • HVIGBTモジュール、HVIPM
    インバータ装置 / コンバータ装置 / DCチョッパ装置
  • パワーMOSFEETモジュール
    バッテリーフォークリフト / UPS
  • ダイオードモジュール 
    インバータ製品 / 直流モータ電源 / バッテリー用直流電源 / 制御盤用の直流電源 / 一般直流電源 
DIPIPM

DIPIPM(Dual Inline Package Intelligent Power Module)は、家電機器インバータ用として製品化した高機能IPM。搭載チップやトランスファーモールド構造により世代を進め、Ver.4からは高熱電動絶縁シートを用い、更に小型化を実現しました。

 

高圧レベルシフト回路を内蔵する高耐圧IC(HVIC)を搭載し、フォトカプラなしでマイコンからの入力信号を直接入力できます。さらにブートストラップ方式の電源を採用し、3相インバータ結線の上アーム(P側)のIGBT駆動用の独立電源を単一電源で動作可能としています。

IPM

IPM(Intelligent Power Module)は、IGBTチップの性能をより引き出すため専用の駆動回路を搭載し、自己保護(短絡、過電流、制御電源電圧低下、過熱)機能などを専用IC化した高機能モジュールです。IGBTチップの進化にあわせ、IPMも各種シリーズの展開をすすめています。CSTBT搭載による低損失化とパッケージを小型化した”Lシリーズ”から、特性改善を進めた”L1シリーズ”、”V1シリーズ”。また”S-DASH SERVOシリーズ”の後継である”S1シリーズ”などをラインアップしています。

IGBTモジュール

あらゆる産業機器のインバータ化に必須なデバイスであるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールは、20年前の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきました。またチップ構造を平面プレーナ構造からトレンチゲート構造へ進め、CSTBT(Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor:当社独自キャリア蓄積型トレンチゲート)により、産業機器の低損失化や小型化に対応してきました。従来外形を継続するNFシリーズや高周波スイッチング用のNFHシリーズをはじめ、各種タイプのIGBTモジュールをラインアップしています。

HVIGBTモジュール / HVIPM

高耐圧・大電流を必要とする電鉄や大型産業機械などのパワーエレクトロニクス機器に使用されるサイリスタやGTOサイリスタに代わり、駆動回路の小型化、システムの軽量化や効率化に応え、HV(High Voltage)IGBTモジュールをラインアップし、大容量インバーター機器の高信頼性や省エネに貢献しています。

 

HVIPM(HighVoltageIntelligentPowerModule)は、IGBTチップの性能をより引き出すため専用の駆動回路を搭載し、自己保護(過電流、制御電源電圧低下、過熱)機能などを専用IC化した高機能モジュールです。大容量インバータ装置の小型化や省電力化に、IPMとしては最大定格の3.3kV/1.2kAをラインアップしています。

パワーMOSFEETモジュール 

高速スイッチングと電圧駆動及び低損失が要求されるパワーデバイスにおいて、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)は、低電流、低耐圧の領域にて実績があります。サブミクロン技術によるトレンチゲート構造を用いることで、プレーナ型に比べて格段に低オン抵抗(ドレイン・ソース間でドレイン電流が流れる領域での抵抗値)化をすすめました。

ダイオードモジュール 

商用周波数の整流する一般整流用ダイオードモジュール、インバーター回路の還流(フリーホイール)ダイオード用やサージ電圧吸収回路(スナバ)用の高速スイッチング用の高周波ダイオードモジュール。インバーターの主要スイッチング・デバイスが、バイポーラ・トランジスタからIGBTなどの高速MOSゲート素子へと移行していることに加え、ラジオ・ノイズ規制などの観点から、逆回復特性(リカバリ)だけでなく、ソフト・リカバリ特性が主流となっています。

 

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